KonkurStudy
همه کارت‌ها

تقویت‌کننده‌های فیدبک، زوج تفاضلی و CMRR

نظریهٔ فیدبک منفی (چهار توپولوژی، بهرهٔ حلقه، مقیاس‌شدن امپدانس‌ها، حلقه‌های ترارزیستانسی در سطح ترانزیستور و محدودیت‌های سیگنال‌بزرگِ یک حلقهٔ بسته) همراه با بهرهٔ زوج تفاضلی و نسبت حذف حالت مشترک (CMRR).

کارت مفهوم کنکور ارشد مهندسی برق

اهمیت
۰/۵

1. ایدهٔ اصلی

دو ستون طراحی آنالوگ در این مبحث به هم می‌رسند. زوج تفاضلی طبقهٔ ورودیِ همه‌منظوره است: تفاضل دو ورودی خود را تقویت می‌کند و در حالت ایده‌آل هر آنچه را میان آن دو مشترک است نادیده می‌گیرد. فیدبک منفی روشی است که چنین هسته‌ای با بهرهٔ زیاد را در بر می‌گیرد تا بهرهٔ خام و نامطمئن را با دقت، پهنای باند و امپدانس‌های کنترل‌شده در درگاه‌ها معاوضه کند. CMRR نشان می‌دهد طبقهٔ تفاضلی تا چه اندازه سیگنال حالت مشترک را به‌طور کامل حذف می‌کند.

این ایده‌ها هر جا دقت اهمیت داشته باشد به کار می‌روند: طبقه‌های ورودی آپ‌امپ و OTA، تقویت‌کننده‌های ابزار دقیق، تقویت‌کننده‌های ترارزیستانسی (با ورودی جریان) و عملاً هر بلوک آنالوگ حلقه‌بسته.

یک قید، چارچوب همهٔ مطالب زیر را تعیین می‌کند: نظریهٔ فیدبک گزاره‌ای سیگنال‌کوچک و خطی است. این نظریه تنها تا زمانی برقرار است که همهٔ قطعات درون حلقه در ناحیهٔ فعال خود بمانند. یک تقویت‌کنندهٔ واقعی که از چند ترانزیستور ساخته شده، جریان و دامنهٔ نوسان خروجی محدودی دارد و هنگامی که پاسخ ایده‌آلِ حلقه‌بسته بیش از توان طبقهٔ خروجی طلب کند، حلقه باز می‌شود و مدار باید مانند یک شبکهٔ معمولیِ سیگنال‌بزرگ حل شود (بخش ۲، «وقتی حلقه نمی‌تواند بسته شود»).

2. روابط کلیدی

فیدبک منفی (مدل تک‌حلقه). با بهرهٔ مسیر مستقیم AA و ضریب فیدبک β\beta،

Af=A1+Aβ,T≡Aβ (loop gain).A_f=\frac{A}{1+A\beta},\qquad T\equiv A\beta\ \text{(loop gain)}.

ضریب 1+Aβ1+A\beta همان مقدار فیدبک است: بهرهٔ حلقه‌بسته و حساسیت آن را بر خود تقسیم می‌کند و امپدانس هر درگاه را مقیاس می‌دهد. وقتی T≫1T\gg 1، داریم Af→1/βA_f\to 1/\beta — که تنها با شبکهٔ فیدبک تعیین می‌شود.

چهار توپولوژی، با نام‌گذاری ترکیب–نمونه‌برداری:

توپولوژی نمونه‌برداری از ترکیب کمیت تثبیت‌شده RinR_{in} RoutR_{out}
سری–موازی ولتاژ سری Vo/ViV_o/V_i ×(1+T)\times(1+T) ÷(1+T)\div(1+T)
موازی–موازی ولتاژ موازی Vo/IiV_o/I_i ÷(1+T)\div(1+T) ÷(1+T)\div(1+T)
سری–سری جریان سری Io/ViI_o/V_i ×(1+T)\times(1+T) ×(1+T)\times(1+T)
موازی–سری جریان موازی Io/IiI_o/I_i ÷(1+T)\div(1+T) ×(1+T)\times(1+T)

قاعدهٔ سرانگشتی: ترکیب/نمونه‌برداریِ سری مقاومت آن درگاه را بالا می‌برد و موازی آن را پایین می‌آورد.

واحدهای AA و β\beta. بهرهٔ تثبیت‌شده همیشه بهرهٔ ولتاژ نیست و β\beta همواره واحدِ معکوس را دارد تا T=AβT=A\beta بی‌بُعد باشد:

توپولوژی نوع تقویت‌کننده واحد AA، AfA_f واحد β\beta حد ایده‌آل Af→1/βA_f\to 1/\beta
سری–موازی ولتاژ V/V V/V نسبت ولتاژ
موازی–موازی ترارزیستانس Ω\Omega (V/A) S (A/V) یک مقاومت
سری–سری ترارسانایی S (A/V) Ω\Omega (V/A) یک رسانایی
موازی–سری جریان A/A A/A نسبت جریان

فیدبک موازی–موازی (ترارزیستانسی) در سطح ترانزیستور. منبع، جریانی isi_s با مقاومت موازی RSR_S است که گره ورودی XX را تغذیه می‌کند؛ خروجی یک ولتاژ است؛ عنصر فیدبک voutv_{out} را حس می‌کند و جریانی را از گره XX بیرون می‌کشد. دو عنصر فیدبک رایج:

  • یک مقاومت RFR_F از خروجی به ورودی: β=−1/RF\beta=-1/R_F، پس Af→−RFA_f\to -R_F (و RFR_F در تقویت‌کنندهٔ حلقه‌باز هر دو درگاه را بارگذاری می‌کند)؛
  • یک ترانزیستور که پایانهٔ کنترل آن (بیس/گیت) روی خروجی و کلکتور/درین آن روی گره XX است: جریان if=gm,f vouti_f=g_{m,f}\,v_{out} را برمی‌گرداند، پس β=gm,f\beta=g_{m,f} و
Af=voutis=a1+a gm,f  →  T≫1    1gm,f.A_f=\frac{v_{out}}{i_s}=\frac{a}{1+a\,g_{m,f}}\;\xrightarrow{\;T\gg1\;}\;\frac{1}{g_{m,f}} .

در اینجا ترارزیستانس حلقه‌باز a=RX⋅Ava=R_X\cdot A_v است، که در آن RXR_X مقاومت دیده‌شده در گره XX با حذف جریان فیدبک است (مثلاً RS∥reR_S\parallel r_e یا RS∥1/gmR_S\parallel 1/g_m وقتی XX امیتر/سورسِ یک قطعهٔ بیس‌مشترک/گیت‌مشترک باشد) و Av=vout/vxA_v=v_{out}/v_x بهرهٔ ولتاژ مسیر مستقیم از XX تا خروجی است، در حالی که گره خروجی با قطعهٔ فیدبک بارگذاری شده است (برای قطعهٔ فیدبکِ BJT این بار همان rπr_\pi آن است؛ برای MOSFET باری وجود ندارد). مقاومت ورودی حلقه‌بسته در XX برابر RX/(1+T)R_X/(1+T) است.

مقادیر سیگنال‌کوچک سودمند: gm=IC/VTg_m=I_C/V_T، re=α/gm≈1/gmr_e=\alpha/g_m\approx 1/g_m، rπ=β/gmr_\pi=\beta/g_m (BJT)؛ gm=2k′(W/L)IDg_m=\sqrt{2k'(W/L)I_D} (MOSFET). طبقهٔ بیس‌مشترک/گیت‌مشترک که از امیتر/سورس خود تحریک شود غیرمعکوس‌کننده است، با vout=gmRload vxv_{out}=g_m R_{load}\,v_x. اگر بار یک منبع جریان ایده‌آل باشد، تنها مقاومت موجود در گره خروجی همان چیزی است که قطعهٔ بعدی نشان می‌دهد، مثلاً vout=gm1rπ2 vx=β IC1IC2 vxv_{out}=g_{m1}r_{\pi 2}\,v_x=\beta\,\dfrac{I_{C1}}{I_{C2}}\,v_x.

حلقه‌های بسته به سبک آپ‌امپ. وقتی یک تقویت‌کنندهٔ چندطبقه با دو مقاومت در حلقه قرار گیرد و T≫1T\gg1 باشد، دو پایانهٔ ورودی ناگزیر (تقریباً) هم‌ولتاژ می‌شوند — اتصال کوتاه مجازی — و هیچ جریانی وارد آن‌ها نمی‌شود:

inverting: VOVi=−R2R1,non-inverting: VOVi=1+R2R1.\text{inverting: } \frac{V_O}{V_i}=-\frac{R_2}{R_1},\qquad \text{non-inverting: } \frac{V_O}{V_i}=1+\frac{R_2}{R_1}.

برای آنکه بدانید کدام فرمول به کار می‌رود، باید با دنبال‌کردن علامت‌ها در طول طبقه‌ها مشخص کنید کدام ورودی، ورودی معکوس‌کننده است:

طبقه علامت از ورودی تا خروجی آن
امیتر‌مشترک / سورس‌مشترک معکوس می‌کند
بیس‌مشترک / گیت‌مشترک، امیترفالوور / سورس‌فالوور معکوس نمی‌کند
زوج تفاضلی، خروجی از کلکتورِ همان ترانزیستور معکوس می‌کند
زوج تفاضلی، خروجی از کلکتورِ ترانزیستورِ دیگر معکوس نمی‌کند
زوج با بار آینهٔ جریان، خروجی در سمتِ خروجیِ آینه: ورودی در سمتِ اتصال‌دیودی معکوس نمی‌کند (جریان آن آینه می‌شود و به گره خروجی تزریق می‌شود)

مقاومت فیدبک باید به آن ورودی برگردد که علامت کلیِ آن تا خروجی منفی است؛ همان پایانه، ورودی معکوس‌کننده است.

وقتی حلقه نمی‌تواند بسته شود (محدودیت‌های سیگنال‌بزرگ). اتصال کوتاه مجازی نتیجهٔ فعال‌بودن حلقه است، نه یک اصل موضوع. طبقهٔ خروجی کلاس A — یک ترانزیستور که در برابر منبع جریان ثابت IQI_Q کار می‌کند — نامتقارن است: ترانزیستور تنها در یک جهت می‌تواند جریان بزرگی تحویل دهد، در حالی که در جهت دیگر گره حداکثر به اندازهٔ IQI_Q می‌تواند حرکت کند. فرض کنید IneedI_{need} جریانی باشد که شبکهٔ فیدبک و بار در جواب ایده‌آل از گره خروجی می‌کشند (یا به آن تزریق می‌کنند). جواب ایده‌آل تنها در صورتی وجود دارد که

Ineed≤IQ  (on the weak side),VO,min⁡≤VO≤VO,max⁡.I_{need}\le I_Q\ \ (\text{on the weak side}),\qquad V_{O,\min}\le V_O\le V_{O,\max}.

اگر شرط نخست برقرار نباشد، ترانزیستور خروجی قطع است، حلقه باز است، اتصال کوتاه مجازی دیگر برقرار نیست و خروجی تنها با منبع جریان تعیین می‌شود. در آرایش معکوس‌کننده با جریانِ ناچیزِ پایانهٔ ورودی، IQI_Q از R1R_1 و R2R_2 که میان منبع و خروجی سری شده‌اند می‌گذرد:

VO=Vi∓IQ (R1+R2),V(−)=Vi∓IQR1,V_O=V_i\mp I_Q\,(R_1+R_2),\qquad V_{(-)}=V_i\mp I_Q R_1 ,

که علامت بالایی برای حالتی است که منبع جریان از گره خروجی جریان می‌کشد (پایین‌کشِ ضعیف) و علامت پایینی برای حالتی که به آن جریان می‌دهد (بالاکشِ ضعیف).

زوج تفاضلی. هر قطعهٔ تطبیق‌یافته دارای gm=2k′(W/L)IDg_m=\sqrt{2k'(W/L)I_D} (MOS) یا gm=IC/VTg_m=I_C/V_T (BJT) است. ورودی تفاضلی vidv_{id} جریان ±12gmvid\pm\tfrac12 g_m v_{id} را به دو شاخه می‌راند و بهرهٔ تفاضلی برابر است با ترارسانایی ضرب در مقاومت خروجی،

Ad=GmRout=gm (ro∥RL).A_d=G_m R_{out}=g_m\,(r_o\parallel R_L).

بار فعال (آینهٔ جریان) تبدیل تفاضلی به تک‌سر را انجام می‌دهد و GmG_m تک‌سر را برابر با gmg_m کاملِ قطعه می‌کند. چند زوج ورودی که ورودی‌های مشترکی دارند با هم جمع می‌شوند: Gm=∑igm,iG_m=\sum_i g_{m,i}.

زوج تنها برای vidv_{id} کوچک خطی است. زوج دوقطبی همین که ∣vid∣≳4VT≈100 mV\lvert v_{id}\rvert\gtrsim 4V_T\approx 100\ \text{mV} شود، عملاً تمام جریان دنباله را به یک ترانزیستور هدایت می‌کند؛ زوج MOS این کار را برای ∣vid∣≥2 VOV\lvert v_{id}\rvert\ge\sqrt2\,V_{OV} انجام می‌دهد. بنابراین ورودی تفاضلیِ چندصد میلی‌ولتی نشانهٔ حلقه‌ای گسسته است، نه حلقه‌ای که در حال تقویت است.

CMRR. با خروجی تک‌سر، مقاومت دنبالهٔ RSSR_{SS} و بار درین RDR_D،

Acm≈−RD2RSS,Ad=12gmRD,A_{cm}\approx-\frac{R_D}{2R_{SS}},\qquad A_d=\tfrac12 g_m R_D, CMRR=∣AdAcm∣≈gmRSS,CMRR(dB)=20log⁡10 ⁣∣AdAcm∣.\text{CMRR}=\left|\frac{A_d}{A_{cm}}\right|\approx g_m R_{SS},\qquad \text{CMRR(dB)}=20\log_{10}\!\left|\frac{A_d}{A_{cm}}\right|.

دنبالهٔ سفت‌تر (منبع جریان ایده‌آل، RSS→∞R_{SS}\to\infty) مقدار CMRR را بالا می‌برد؛ عدم تطبیقِ قطعات و بارها حتی با دنباله‌ای بی‌نقص، سقف محدود آن را تعیین می‌کند.

3. روش حل

مسئلهٔ فیدبک (سیگنال‌کوچک):

  1. نخست بایاس. همهٔ خازن‌ها را باز کنید و در هر گره KCL بنویسید. خازن کوپلاژی که یک گره را از منبع جدا می‌کند، قطعاتِ روی‌هم‌چیده در آن گره را وادار می‌کند همان جریان DC را حمل کنند؛ بارِ منبع جریان ایده‌آل، مجموع جریان‌های خروجی از گره خود را ثابت می‌کند. از جریان‌ها gmg_m، rer_e و rπr_\pi را به دست آورید.
  2. توپولوژی را دسته‌بندی کنید: سیمی که دو سر خروجی را در بر می‌گیرد از ولتاژ نمونه می‌گیرد (خروجی موازی)؛ عنصری که با بار سری است از جریان نمونه می‌گیرد (خروجی سری). فیدبکی که به‌صورت سری با ورودی برگردانده شود یک ولتاژ را کم می‌کند؛ فیدبکی که به گره ورودی برگردد یک جریان را کم می‌کند.
  3. β\beta را استخراج کنید = (کمیت برگشتی)/(خروجی نمونه‌برداری‌شده)، با غیرفعال‌کردن مسیر مستقیم. واحد آن را با جدول بسنجید.
  4. AA حلقه‌باز را با شبکهٔ فیدبک در هر دو درگاه بارگذاری کنید، سپس T=AβT=A\beta را تشکیل دهید.
  5. حلقه را ببندید: Af=A/(1+T)A_f=A/(1+T)؛ Rin,RoutR_{in},R_{out} را مطابق جدول با (1+T)(1+T) مقیاس دهید.
  6. برای سطوح سیگنال، حلقه را بپیمایید: خطا (ورودی خالص به AA) برابر vε=vin/(1+T)v_\varepsilon=v_{in}/(1+T) است.

روش جایگزینِ گرهیِ مستقیم (برای حلقهٔ دوترانزیستوری اغلب سریع‌تر): در گره خروجی KCL بنویسید تا voutv_{out} بر حسب ولتاژ گره ورودی vxv_x به دست آید، سپس در گره ورودی با درنظرگرفتن جریان فیدبک KCL بنویسید و تقسیم کنید. این روش پاسخ دقیق را می‌دهد، بی‌آنکه لازم باشد AA و β\beta جداگانه شناسایی شوند — از دیدگاه فیدبک به‌عنوان آزمون درستی Af≈1/βA_f\approx1/\beta استفاده کنید.

حلقهٔ بسته پیرامون یک تقویت‌کنندهٔ گسسته (سیگنال‌بزرگ):

  1. با دنبال‌کردن علامت‌ها (جدول بالا) ورودی معکوس‌کننده را بیابید و منفی‌بودن فیدبک را تأیید کنید.
  2. فرض کنید حلقه فعال است: اتصال کوتاه مجازی، VOV_O ایده‌آل از −R2/R1-R_2/R_1 یا 1+R2/R11+R_2/R_1.
  3. گره خروجی را با KCL بیازمایید: جریانی را که شبکهٔ فیدبک و بار در آن VOV_O طلب می‌کنند محاسبه کنید. آیا قطعهٔ خروجی می‌تواند آن را در تنها جهت ممکنِ خود تأمین کند (پایین‌کشِ npn/NMOS فقط جریان می‌کشد، بالاکشِ pnp/PMOS فقط جریان می‌دهد)؟ آیا VOV_O درون حدود نوسان است؟
  4. اگر نه، جریان ترانزیستور خروجی را صفر بگذارید، اجازه دهید منبع جریان IQI_Q از مقاومت‌های بیرونی بگذرد و شبکهٔ مقاومتیِ حاصل را برای VOV_O حل کنید.
  5. سازگاری را بررسی کنید: اختلاف ولتاژ پایانه‌های ورودی اکنون باید بزرگ باشد و قطبیتی داشته باشد که قطعهٔ خروجی را بیشتر به سمت خاموشی براند (جریان دنباله به‌طور کامل به یک سو هدایت شده، ترانزیستور آینه اشباع شده).

مسئلهٔ زوج تفاضلی / CMRR:

  1. بایاس →\to هر gmg_m.
  2. نیم‌مدار تفاضلی: Ad=GmRoutA_d=G_m R_{out} (بار آینه‌ای ⇒\Rightarrow gmg_m کامل؛ زوج‌های موازی را جمع کنید).
  3. نیم‌مدار حالت مشترک با 2RSS2R_{SS} در سورس →Acm\to A_{cm}.
  4. CMRR=∣Ad/Acm∣\text{CMRR}=|A_d/A_{cm}|.

4. مثال‌های کوتاه حل‌شده

(الف) تقویت‌کنندهٔ ولتاژ و CMRR. یک تقویت‌کنندهٔ سری–موازی (ولتاژ) بهرهٔ حلقه‌بازِ بارگذاری‌شدهٔ A=1000A=1000 و یک مقسم مقاومتیِ فیدبک با β=0.05\beta=0.05 دارد.

T=Aβ=50,1+T=51,Af=100051≈19.6 (≈1/β=20).T=A\beta=50,\quad 1+T=51,\quad A_f=\frac{1000}{51}\approx19.6\ (\approx 1/\beta=20).

تغییر 10%10\% در AA در خروجی به 10%/51≈0.2%10\%/51\approx0.2\% کاهش می‌یابد و Rout=2 kΩR_{out}=2\ \text{k}\Omega حلقه‌باز به 2 kΩ/51≈39 Ω2\,\text{k}\Omega/51\approx39\ \Omega تبدیل می‌شود. اگر طبقهٔ ورودی آن تقویت‌کننده زوجی با gm=1 mA/Vg_m=1\ \text{mA/V} باشد که از دنباله‌ای با منبع جریانِ RSS=1 MΩR_{SS}=1\ \text{M}\Omega تغذیه می‌شود، آنگاه

CMRR≈gmRSS=10−3⋅106=103=60 dB.\text{CMRR}\approx g_m R_{SS}=10^{-3}\cdot10^{6}=10^{3}=60\ \text{dB}.

(ب) تقویت‌کنندهٔ ترارزیستانسی با ترانزیستور به‌عنوان عنصر فیدبک. جریان سیگنال isi_s با RS=500 ΩR_S=500\ \Omega سورس (گره XX) یک M1M_1 گیت‌مشترک با gm1=2 mSg_{m1}=2\ \text{mS} و بار درین RD=20 kΩR_D=20\ \text{k}\Omega را تحریک می‌کند؛ درین همان خروجی است. M2M_2 (gm2=1 mSg_{m2}=1\ \text{mS}) گیتش روی خروجی، درینش روی گره XX و سورسش زمین‌شده است؛ λ=0\lambda=0.

دیدگاه فیدبک: RX=RS∥1gm1=500∥500=250 ΩR_X=R_S\parallel\dfrac{1}{g_{m1}}=500\parallel500=250\ \Omega، Av=gm1RD=40A_v=g_{m1}R_D=40، پس a=250×40=10 kΩa=250\times40=10\ \text{k}\Omega. با β=gm2=1 mS\beta=g_{m2}=1\ \text{mS}، T=10T=10 و

Af=a1+T=10 kΩ11≈909 Ω(ideal limit 1gm2=1 kΩ),Rin=25011≈22.7 Ω.A_f=\frac{a}{1+T}=\frac{10\ \text{k}\Omega}{11}\approx 909\ \Omega\quad\left(\text{ideal limit } \frac{1}{g_{m2}}=1\ \text{k}\Omega\right),\qquad R_{in}=\frac{250}{11}\approx22.7\ \Omega .

بررسی گرهی: vout=40 vxv_{out}=40\,v_x و

is=vx(1RS+gm1)+gm2vout=(4+40) mS⋅vx ⇒ voutis=4044 mS≈909 Ω.i_s=v_x\left(\frac{1}{R_S}+g_{m1}\right)+g_{m2}v_{out}=(4+40)\ \text{mS}\cdot v_x\ \Rightarrow\ \frac{v_{out}}{i_s}=\frac{40}{44\ \text{mS}}\approx909\ \Omega .

علامت برای فیدبک منفی درست است: vx↑⇒vout↑⇒M2v_x\uparrow\Rightarrow v_{out}\uparrow\Rightarrow M_2 جریان بیشتری از X⇒vx↓X\Rightarrow v_x\downarrow بیرون می‌کشد.

(ج) حلقهٔ بسته‌ای که نمی‌تواند بسته شود. یک تقویت‌کنندهٔ گسسته (تغذیه‌های ±12 V\pm12\ \text{V}، ورودی غیرمعکوس‌کننده زمین‌شده) به‌صورت تقویت‌کنندهٔ معکوس‌کننده با R1=2 kΩR_1=2\ \text{k}\Omega و R2=8 kΩR_2=8\ \text{k}\Omega بسته شده است. طبقهٔ خروجی آن یک ترانزیستور npn امیتر‌مشترک است (کلکتور در خروجی، امیتر در −12 V-12\ \text{V}) که یک منبع جریان 0.4 mA0.4\ \text{mA} از +12 V+12\ \text{V} بار کلکتور آن است. VOV_O را برای Vi=−1.5 VV_i=-1.5\ \text{V} بیابید.

تلاش ایده‌آل: VO=−82(−1.5)=+6 VV_O=-\dfrac{8}{2}(-1.5)=+6\ \text{V}. در این صورت R1R_1 جریان 0−(−1.5)2 kΩ=0.75 mA\dfrac{0-(-1.5)}{2\ \text{k}\Omega}=0.75\ \text{mA} را به سمت منبع حمل می‌کند که باید از خروجی و از طریق R2R_2 برسد. KCL در خروجی: 0.4 mA=IC+0.75 mA⇒IC=−0.35 mA0.4\ \text{mA}=I_C+0.75\ \text{mA}\Rightarrow I_C=-0.35\ \text{mA} — ناممکن است، چون npn نمی‌تواند جریان بدهد. پس ترانزیستور خاموش است و 0.4 mA0.4\ \text{mA} از R2+R1R_2+R_1 به درون منبع می‌رود:

VO=Vi+IQ(R1+R2)=−1.5+0.4×10=+2.5 V,V(−)=−1.5+0.4×2=−0.7 V.V_O=V_i+I_Q(R_1+R_2)=-1.5+0.4\times10=+2.5\ \text{V},\qquad V_{(-)}=-1.5+0.4\times2=-0.7\ \text{V}.

سازگاری: ورودی معکوس‌کننده 0.7 V0.7\ \text{V} پایین‌تر از ورودیِ زمین‌شده قرار دارد، پس تقویت‌کننده خروجی را تا جایی که می‌تواند بالا می‌برد — یعنی ترانزیستور پایین‌کش، همان‌گونه که فرض شد، کاملاً خاموش شده است. مقدار ایده‌آل +6 V+6\ \text{V} تنها برای ∣Vi∣/R1≤0.4 mA\lvert V_i\rvert/R_1\le0.4\ \text{mA}، یعنی Vi≥−0.8 VV_i\ge-0.8\ \text{V}، دست‌یافتنی بود.

5. گونه‌های رایج و حالت‌های خاص

  • خروجی تمام‌تفاضلی: در حالت ایده‌آل Acm→0A_{cm}\to 0، پس CMRR را gmRSSg_m R_{SS} و عدم تطبیق بار ΔRD/RD\Delta R_D/R_D محدود می‌کنند، نه دنباله به‌تنهایی.
  • ایده‌آل‌سازی λ=0\lambda=0 / VA=∞V_A=\infty: ro→∞r_o\to\infty، پس بهرهٔ ذاتی gmrog_m r_o بی‌نهایت است — از آن استفاده نکنید. تنها بار محدود، RLR_L بیرونی (یا rπr_\pi قطعهٔ دوقطبیِ بعدی) است که Ad=GmRLA_d=G_m R_L را می‌دهد.
  • T≫1T\gg 1: Af→1/βA_f\to 1/\beta، عملاً مستقل از AA — اساس مدارهای دقیق آپ‌امپی. در حلقهٔ موازی–موازی، مقاومت منبع RSR_S در این حالت تنها TT را تغییر می‌دهد و تقریباً اثری بر ترارزیستانس ندارد.
  • فیدبک مقاومتی در برابر ترانزیستوری در حلقهٔ موازی–موازی: RFR_F نتیجه می‌دهد Af→−RFA_f\to-R_F (تقویت‌کنندهٔ مسیر مستقیم باید معکوس‌کننده باشد)؛ ترانزیستور فیدبک نتیجه می‌دهد Af→1/gm,fA_f\to 1/g_{m,f} که به جریان بایاس آن بستگی دارد (VT/ICV_T/I_C برای BJT) — پس حل DC بخشی از پاسخ است.
  • علامت / فاز: فیدبک منفی یعنی سیگنال برگشتی در گره جمع‌کننده با ورودی هم‌فاز است تا کم شود؛ سیگنال برگشتیِ ناهم‌فاز حلقه را مثبت می‌کند. در حلقه‌ای با ترکیب موازی، آزمون معادل این است که عنصر فیدبک با بالارفتن ولتاژ گره ورودی، از آن گره جریان بردارد.
  • پهنای باند: برای AA تک‌قطبی، فیدبک پهنای باند −3 dB-3\,\text{dB} را (1+T)(1+T) برابر می‌کند و هم‌زمان بهره را به همان نسبت کاهش می‌دهد (حاصل‌ضرب بهره–پهنای باندِ ثابت).
  • گونه‌های محدودیت خروجی: خروجی امیتر‌مشترکِ pnp/PMOS با منبع جریانِ پایین‌کش هنگامی ضعیف است که خروجی باید جریان بکشد؛ خروجی npn/NMOS با منبع جریانِ بالاکش هنگامی ضعیف است که باید جریان بدهد. طبقهٔ پوش‌پول (کلاس B/AB) چنین عدم تقارنی ندارد و تنها ریل‌های تغذیه آن را محدود می‌کنند. مقاومت بار در خروجی، VO/RLV_O/R_L را به جریانی که طبقه باید فراهم کند می‌افزاید.
  • اشباع در ریل در برابر کمبود جریان: وقتی ترانزیستور خروجی در عوض کاملاً روشن شود، VOV_O نزدیک ریل خود بریده می‌شود (به فاصلهٔ VCE,satV_{CE,sat} از آن)؛ وقتی خاموش شود، VOV_O به ریل مقابل نمی‌رود — بلکه همان مقداری است که IQI_Q روی مقاومت‌های بیرونی ایجاد می‌کند.

نکتهٔ کنکوری: سه واکنش سریع، بیشتر این مسائل را حل می‌کند. (۱) در ترکیب سری (ولتاژ) حلقه از vin=vε+vfv_{in}=v_\varepsilon+v_f با vε=vin/(1+Aβ)v_\varepsilon=v_{in}/(1+A\beta) پیروی می‌کند — هر گزینه‌ای با vf>vinv_f>v_{in} یا با vfv_f ناهم‌فاز، KVL یا فیدبک منفی را نقض می‌کند و در نگاه اول ردشدنی است. (۲) برای زوج با بار آینه‌ای، GmG_m تک‌سر برابر gmg_m کامل است (نه gm/2g_m/2) و زوج‌های موازی با ورودی‌های مشترک، gmg_m خود را جمع می‌کنند؛ با λ=0\lambda=0 بهره صرفاً GmRLG_m R_L است و هرگز gmrog_m r_o نیست. (۳) با بهرهٔ حلقهٔ بزرگ، بهرهٔ حلقه‌بسته همان 1/β1/\beta در واحد درست است — برای ترانزیستوری که جریان را به گره ورودی برمی‌گرداند این مقدار 1/gm,f1/g_{m,f} است که مستقیماً از جریان بایاس آن خوانده می‌شود.

تلهٔ رایج: پیش از بررسی KCL در گره خروجیِ یک تقویت‌کنندهٔ گسسته، هرگز به −R2/R1-R_2/R_1 یا اتصال کوتاه مجازی اعتماد نکنید. اگر جریان لازم از آنچه یک طبقهٔ خروجیِ یک‌سویه (کلاس A) می‌تواند تحویل دهد بیشتر باشد، ترانزیستور خروجی قطع می‌شود و VO=Vi∓IQ(R1+R2)V_O=V_i\mp I_Q(R_1+R_2) — نه مقدار ایده‌آل و نه ریل تغذیه. به همین ترتیب، مقاومت دیده‌شده در گره ورودی بدون فیدبک (RS∥reR_S\parallel r_e) همان ترارزیستانس نیست.

فرمول‌های کلیدی

Closed-loop gain
Af=A1+AβA_f=\frac{A}{1+A\beta}
Loop gain / amount of feedback
T=Aβ,1+AβT=A\beta,\qquad 1+A\beta
Differential gain
Ad=GmRout=gm (ro∥RL)A_d=G_m R_{out}=g_m\,(r_o\parallel R_L)
Parallel input pairs add transconductance
Gm=∑igm,iG_m=\sum_i g_{m,i}
Common-mode gain (single-ended)
Acm≈−RD2RSSA_{cm}\approx-\frac{R_D}{2R_{SS}}
CMRR
CMRR=∣AdAcm∣≈gmRSS\text{CMRR}=\left|\frac{A_d}{A_{cm}}\right|\approx g_m R_{SS}
Input-referred error under feedback
vε=vin1+Aβv_\varepsilon=\frac{v_{in}}{1+A\beta}
Shunt–shunt loop with a transistor feedback element
voutis=a1+a gm,f≈1gm,f(T≫1)\frac{v_{out}}{i_s}=\frac{a}{1+a\,g_{m,f}}\approx\frac{1}{g_{m,f}}\quad(T\gg1)
Open-loop transresistance
a=RX Av,Rin,f=RX1+Ta=R_X\,A_v,\qquad R_{in,f}=\frac{R_X}{1+T}
Shunt–shunt loop with a feedback resistor
voutis≈−RF(T≫1)\frac{v_{out}}{i_s}\approx -R_F\quad(T\gg1)
Ideal closed-loop gains (virtual short)
VOVi=−R2R1 (inverting),VOVi=1+R2R1 (non-inverting)\frac{V_O}{V_i}=-\frac{R_2}{R_1}\ \text{(inverting)},\qquad \frac{V_O}{V_i}=1+\frac{R_2}{R_1}\ \text{(non-inverting)}
Output with the class-A output transistor cut off (inverting connection)
VO=Vi∓IQ (R1+R2)V_O=V_i\mp I_Q\,(R_1+R_2)
BJT small-signal parameters
gm=ICVT,re≈1gm,rπ=βgmg_m=\frac{I_C}{V_T},\qquad r_e\approx\frac{1}{g_m},\qquad r_\pi=\frac{\beta}{g_m}
#feedback-amplifier#differential-pair#cmrr#loop-gain#negative-feedback#transresistance#feedback-topology#output-stage-limits

سوالات تمرینی