الکترونیک ۱ و ۲Electronics
مدارهای دیود، BJT و MOSFET؛ تقویتکنندههای سیگنال کوچک؛ تقویتکنندههای عملیاتی (Op-Amp)؛ بایاس، فیدبک و پاسخ فرکانسی.
کنکور ارشد مهندسی برق
مباحث
کارتها · 7
تحلیل شبکههای دیودی با روش فرض حالت و مدل افت ولتاژ ثابت؛ شامل یکسوسازها با صافی خازنی (قله، ریپل، مقدار متوسط)، برشدهندهها/محدودکنندهها، مهارکنندهها و تنظیمکنندههای موازی زنر همراه با تنظیم خط و تنظیم بار آنها.
نظریهٔ فیدبک منفی (چهار توپولوژی، بهرهٔ حلقه، مقیاسشدن امپدانسها، حلقههای ترارزیستانسی در سطح ترانزیستور و محدودیتهای سیگنالبزرگِ یک حلقهٔ بسته) همراه با بهرهٔ زوج تفاضلی و نسبت حذف حالت مشترک (CMRR).
سه طبقهٔ تقویتکنندهٔ تکترانزیستوری MOS — سورس مشترک، درین مشترک (دنبالکنندهٔ سورس) و گیت مشترک — بههمراه بهرهٔ سیگنال کوچک، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی آنها که از پارامترهای نقطهٔ کار g_m و r_o بهدست میآیند.
دو قانون طلایی تقویتکنندهٔ عملیاتی ایدهآل — جریان ورودی صفر و اتصال کوتاه مجازی میان ورودیها — و چگونگی استفاده از آنها برای حل هر مدار تقویتکنندهٔ عملیاتی خطی با فیدبک منفی.
بهرهٔ یک تقویتکننده تنها در میانباند تخت است: خازنهای بزرگ کوپلاژ و بایپس، فرکانس قطع پایین را با ثابتزمانیهای اتصالکوتاه بهصورت ω_L≈∑ 1/(R_iC_i) تعیین میکنند، در حالی که خازنهای انگلی قطعه — تشدیدشده با اثر میلر — فرکانس قطع بالا را با ثابتزمانیهای مدارباز بهصورت ω_H≈ 1/∑ R_iC_i میسازند.
جعبهابزار کامل مدارهای گسستهٔ BJT: بایاس DC و بررسی ناحیهٔ کار، آینههای جریان و قانون ΔV_BE، پارامترهای مدل هیبرید-π، جدول آرایشهای CE/CE با دژنراسیون/CC/CB همراه با انعکاس مقاومت تکی و آبشاری (دارلینگتون)، بوتاسترپ و میلر، تحلیل KCL گرهای طبقات چندترانزیستوری، و حدهای قطع/اشباع که سوئینگ طبقات CE و امیترفالوورها را تعیین میکنند.
چگونه بلوکهای سازندهٔ آنالوگ — زوج تفاضلی (با دُم مشترک یا با شبکههای سورس جداگانه و حتی با مقاومت منفی)، آینهٔ جریان، زوج تزویجمتقاطع و کسکود — در کنار هم تقویتکنندههای چندطبقه را میسازند و چگونه میتوان G_m ، R_out ، بهره و CMRR را برای هر یک از آنها به دست آورد.