سوال ۶۰ کنکور ارشد مهندسی برق ۱۴۰۴

۶۰- با فرض بایاس شدن ترانزیستور در ناحیه خطی (فعال)، $\alpha = 0/99$، $V_A = \infty$ و $g_m = \dfrac{10}{R}$، مقاومت ورودی $R_{in}$ به کدام مورد نزدیک‌تر است؟

شکل مدار: کلکتور ترانزیستور npn مستقیماً به $V_{DD}$ وصل است و امیتر آن به گره خروجی می‌رود که در آن مقاومت $4R$ به زمین بسته شده و $V_{out}$ از همان‌جا گرفته می‌شود. منبع $V_{in}$ از طریق یک مقاومت سری $R$ و سپس یک خازن کوپلاژ بی‌نهایت (اتصال کوتاه در فرکانس سیگنال) به بیس می‌رسد؛ $R_{in}$ از سمت راست این خازن، یعنی نگاه به داخل گره بیس، اندازه‌گیری می‌شود. یک مقسم بایاس شامل $7.2R$ (از $V_{DD}$) و $7.2R$ (به زمین) گره میانی $X$ را می‌سازد؛ یک مقاومت $R$ از گره بیس به گره $X$ وصل شده و یک خازن بی‌نهایت دیگر گره $X$ را به گره امیتر (خروجی) متصل می‌کند.