مدارها و تقویت‌کننده‌های BJT

۵۶- با فرض کارکرد تمامی ترانزیستورها در ناحیه خطی (فعال)، β = ∞ و V_(BE-on) = ۰/۷ V ، مقدار مقاومت R_۳ (برحسب کیلواُهم) چقدر باشد تا توان متوسط اتلاف‌شده در مقاومت R_۷ ، برابر ۱۵۰ میکرووات باشد؟…

۶۰- با فرض بایاس شدن ترانزیستور در ناحیه خطی (فعال)، α = 0/99 ، V_A = ∞ و g_m = 10/R ، مقاومت ورودی R_in به کدام مورد نزدیک‌تر است؟ شکل مدار: کلکتور ترانزیستور npn مستقیماً به V_DD وصل است و امیتر آن…

در مدار شکل زیر، با فرض بزرگ بودن کافی همه خازن‌ها، محدوده تغییرات ولتاژ خروجی ( V_out ) از طرف بالا و پایین کدام است؟ ( V_(BE-on) = ۰/۷v ، β = ۱۰۰ ، V_CE(sat) = ۰/۲v ) شکل: یک طبقه امیتر مشترک با…

در تقویت‌کننده شکل زیر، ترانزیستور npn به نام Q_1 در ناحیه خطی (فعال) بایاس شده است. منبع سیگنال V_S از طریق یک مقاومت سری R و یک خازن کوپلاژ بی‌نهایت (اتصال کوتاه در فرکانس سیگنال) گره بیس V_1 را…

در مدار زیر، مقدار مقاومت R_۱ چند کیلواهم باشد تا به‌ازای V_in=۰ ولتاژ خروجی صفر شود؟ شکل مدار: مقاومت R_۱ از منبع ۴/۷ V به گرهٔ A وصل شده است. گرهٔ A هم به سر بالایی (سورس) ترانزیستور MOS کانال p به…

در تقویت‌کننده زیر، می‌دانیم که در دمای اتاق ( ۲۵^circC )، بهره ولتاژ تقویت‌کننده (A_v = (V_o)/(V_s)) برابر با ۱۰۰ است. بهره ولتاژ تقویت‌کننده در دمای ۱۲۵^circC تقریباً چقدر خواهد بود؟ (فرض کنید frac…

در مدار تقویت‌کننده زیر، مقدار بهره ولتاژ A_v= (V_o)/(V_i) ، کدام است؟ مدار. ولتاژ V_i از طریق خازن کوپلاژ C_1 به بیس ترانزیستور NPN یعنی Q_1 اعمال می‌شود؛ امیتر Q_1 زمین شده و کلکتور آن با مقاومت ۳…

در مدار داده‌شده، به‌ازای چه مقدار نسبت (R_۲)/(R_۱) ، ضریب حرارتی ولتاژ V_CE صفر می‌شود؟ ( frac Δ V_CE Δ T =۰ ) (فرض کنید ترانزیستور در ناحیه فعال و دیود هم در ناحیه شکست زنری قرار دارد.) مدار: یک…

در منبع جریان شکل زیر، مقاومت R چند اهم باشد تا تغییرات ولتاژ تغذیه حول V_CC = ۲/۲ V ، تغییری در جریان خروجی ایجاد نکند؟ (فرض کنید β = ∞ و V_T = ۲۵ mV و V_(BE(ON)) ≃ ۰/۷ V ) مدار: منبع V_CC از طریق…

در مدار شکل زیر، مقدار بهره ولتاژ A_V=lvertdfrac v_out v_in rvert در حالت C_E=∞ برابر با ۴ است. مقدار اندازه بهره آن در حالت C_E=0 چقدر است؟ مدار یک طبقه تقویت‌کننده امیتر مشترک با ترانزیستور npn…

در مدار زیر، مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q_2 پنج برابر مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q_1 بوده و همهٔ ترانزیستورها در ناحیهٔ فعال بایاس شده‌اند. به‌ازای چه مقداری از مقاومت R_B برحسب…

با فرض یکسان بودن ترانزیستورها، بهرهٔ تقویت‌کنندهٔ مدار زیر، به کدام گزینه نزدیک‌تر است؟ (برای کلیهٔ ترانزیستورها داریم: r_o = ∞ ، β = ۱۰۰ ، g_m = ۲۰ mS ) شرح مدار: منبع ایده‌آل V_s (سر دیگر آن زمین)…

در مدار زیر، مقاومت ورودی R_in ، به کدام گزینه نزدیک‌تر است؟ ( V_A=∞ ) مدار: ترانزیستورهای Q_2 و Q_1 (npn) یک زوج دارلینگتون می‌سازند. ورودی V_in به بیس Q_2 اعمال می‌شود و R_in مقاومت دیده‌شده از…

در مدار زیر، ورودی V_in به‌صورت یک شکل موج سینوسی با دامنه ۸ ولت است. حداکثر مقدار ولتاژ خروجی V_out چند ولت است؟ مدار: کلکتور ترانزیستور npn Q_1 به V_CC = 12 V و بیس آن به V_in وصل است. امیتر از…