KonkurStudy

سوال ۶۲ کنکور ارشد مهندسی برق ۱۴۰۰

اهمیت
۰/۵

در مدار زیر، مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q2Q_2 پنج برابر مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q1Q_1 بوده و همهٔ ترانزیستورها در ناحیهٔ فعال بایاس شده‌اند. به‌ازای چه مقداری از مقاومت RBR_B برحسب کیلواهم، مقدار جریان خروجی IoutI_{out} تقریباً برابر با ۵ میلی‌آمپر خواهد بود؟

مدار: منبع جریان IR=1 mAI_R = 1\,\text{mA} از VCCV_{CC} به گره‌ای وارد می‌شود که به کلکتور Q1Q_1 و مستقیماً به بیس Q2Q_2 وصل است. مقاومت RBR_B بین این گره و بیس Q1Q_1 (یعنی بین بیس‌های Q1Q_1 و Q2Q_2) قرار دارد. امیتر هر دو ترانزیستور Q1Q_1 و Q2Q_2 زمین شده است. IoutI_{out} جریانی است که وارد کلکتور Q2Q_2 می‌شود.

داده‌ها: β1=100\beta_1 = 100، β2=10\beta_2 = 10، AE2=5AE1A_{E2} = 5A_{E1}، VT=25 mVV_T = 25\,\text{mV}، ln⁡2=0.7\ln 2 = 0.7، VA=∞V_A = \infty.

#bjt#current-mirror#base-current-compensation#emitter-area-ratio#finite-beta#dc-biasing

کارت‌های مرتبط