توپولوژی مدار. جریان مرجع 1mA یعنی IR به گرهای وارد میشود که به کلکتور Q1، به بیس Q2 و به یک سر RB متصل است. سر دیگر RB بیس Q1 است. هر دو امیتر زمین شدهاند. پس ولتاژ این گره برابر VBE2 است و بیس Q1 به اندازهٔ افت ولتاژ دو سر RB پایینتر قرار میگیرد:
VBE1=VBE2−IB1RB
این افت ولتاژ باعث میشود VBE2>VBE1 شود و در نتیجه IC2 را بالاتر از نسبت سطح سادهٔ 5 میبرد.
گام ۱ — جریانها از KCL. باید Iout=IC2=5mA باشد، پس
IB2=β2IC2=105mA=0.5mA
KCL در گرهٔ مرجع:
IR=IC1+IB1+IB2⇒IC1+IB1=1−0.5=0.5mA
با β1=100:
IC1=101100(0.5mA)≈0.495mA,IB1=1010.5mA≈4.95μA
گام ۲ — مقدار لازم ΔVBE. با IS2=5IS1 (نسبت سطح) و VA=∞:
IC1IC2=IS1IS2e(VBE2−VBE1)/VT=5eΔVBE/VT
0.4955≈10.1=5eΔVBE/VT⇒eΔVBE/VT≈2
ΔVBE=VTln2=25mV×0.7=17.5mV
گام ۳ — مقاومت. این ولتاژ دقیقاً همان افت ولتاژ ناشی از IB1 روی RB است:
RB=IB1ΔVBE=4.95μA17.5mV≈3.5kΩ
این همان گزینهٔ ۴ است و با کلید رسمی مطابقت دارد.
بررسی گزینهٔ ۱ (RB=0). در این حالت IC2=5IC1 است و KCL میدهد 1=IC1(1+1001)+105IC1=1.51IC1، پس IC1≈0.66mA و Iout≈3.3mA — نه 5mA. مقدار کم β2=10 نیم میلیآمپر جریان بیس میرباید و RB همان چیزی است که این کمبود را جبران میکند.
نکتهٔ کنکوری: دادهٔ ln2=0.7 سرنخی است که نشان میدهد نسبت لازم IC2/(5IC1) باید برابر 2 درآید. از KCL مقدار IC1≈0.5mA را به دست آورید (پس از کم کردن IB2=0.5mA)، سپس RB=VTln2/IB1=17.5mV/5μA=3.5kΩ.
تلهٔ رایج: از IB2 صرفنظر نکنید. با β2=10 مقدار آن 0.5mA است — یعنی نصف جریان مرجع — پس IC1 حدود 0.5mA است، نه 1mA.