KonkurStudy
همه کارت‌ها

مدارهای دیودی: یکسوسازها، برش‌دهنده‌ها، مهارکننده‌ها و تنظیم‌کننده‌های زنر

تحلیل شبکه‌های دیودی با روش فرض حالت و مدل افت ولتاژ ثابت؛ شامل یکسوسازها با صافی خازنی (قله، ریپل، مقدار متوسط)، برش‌دهنده‌ها/محدودکننده‌ها، مهارکننده‌ها و تنظیم‌کننده‌های موازی زنر همراه با تنظیم خط و تنظیم بار آن‌ها.

کارت مفهوم کنکور ارشد مهندسی برق

اهمیت
۰/۵

۱. ایدهٔ اصلی و حوزهٔ کاربرد

دیود یک شیر یک‌طرفه برای جریان است: هنگامی هدایت می‌کند (بایاس مستقیم، روشن) که آند دست‌کم به اندازهٔ ولتاژ آستانهٔ هدایت VγV_{\gamma} (برای سیلیکون معمولاً 0.60.6–0.7 V0.7\text{ V}) از کاتد مثبت‌تر باشد، و در غیر این صورت جریان را سد می‌کند (بایاس معکوس، خاموش). همین رفتار غیرخطی است که به مدارهای دیودی امکان شکل‌دهی مفید سیگنال‌ها را می‌دهد:

  • یکسوسازها یک شکل‌موج AC دوقطبی را به شکل‌موجی تک‌قطبی تبدیل می‌کنند — طبقهٔ ورودی هر منبع تغذیهٔ DC. سپس یک خازن صافی خروجی را نزدیک قلهٔ یکسوشده نگه می‌دارد.
  • برش‌دهنده‌ها (محدودکننده‌ها) بخشی از شکل‌موج را که بالاتر/پایین‌تر از یک سطح انتخابی است می‌بُرند — برای شکل‌دهی موج و حفاظت ورودی به کار می‌روند.
  • مهارکننده‌ها (بازیاب‌های DC) کل شکل‌موج را با افزودن یک آفست DC بالا یا پایین می‌برند، بی‌آنکه شکل آن تغییر کند.
  • تنظیم‌کننده‌های زنر از شکست معکوس بهره می‌گیرند تا ولتاژی تقریباً ثابت را در برابر تغییرات منبع و بار حفظ کنند.

چون این قطعه تکه‌ای‌خطی است، آن را با یکی از چند مدل سیگنال‌بزرگ جایگزین می‌کنیم و کل مسئله را به حل مدارهای خطی در هر ناحیه فرو می‌کاهیم:

مدل دیود روشن دیود خاموش
ایده‌آل اتصال کوتاه، VD=0V_D=0 مدار باز، ID=0I_D=0
افت ولتاژ ثابت (CVD) باتری VD=VγV_D=V_{\gamma} مدار باز
تکه‌ای‌خطی باتری VγV_{\gamma} سری با rDr_D مدار باز

مدل CVD (یک باتری 0.7 V0.7\text{ V} در حالت روشن) ابزار اصلی کار در آزمون است. دیود زنر ناحیهٔ سومی هم دارد: در شکست معکوس مانند یک باتری VZ0V_{Z0} سری با یک مقاومت دینامیکی کوچک rzr_z رفتار می‌کند (بخش ۶).

۲. روابط کلیدی

۲.۱ قانون قطعه

قانون دقیق قطعه معادلهٔ شاکلی است

ID=IS(e VD/(nVT)−1),VT=kTq≈25 mV at 300 K,I_D = I_S\left(e^{\,V_D/(nV_T)}-1\right),\qquad V_T=\frac{kT}{q}\approx 25\text{ mV at }300\text{ K},

اما برای تحلیل مدار از آستانهٔ CVD یعنی VD=VγV_D=V_{\gamma} استفاده می‌کنیم.

۲.۲ توپولوژی‌های یکسوساز: چند افت دیود، چه دورهٔ ریپلی

فرض کنید VpV_p قلهٔ ورودی AC دیده‌شده از سوی یکسوساز و TT دورهٔ تناوب آن باشد. آنچه به بار می‌رسد قلهٔ ورودی منهای یک افت به ازای هر دیود در مسیر هدایت است:

توپولوژی دیودهای سری با بار قلهٔ خروجی Vo,pkV_{o,pk} دورهٔ شارژ مجدد (ریپل) TrT_r PIV هر دیود
نیم‌موج 1 Vp−VγV_p-V_{\gamma} TT VpV_p (بدون صافی)، ≈2Vp\approx 2V_p (با خازن صافی)
تمام‌موج با سر وسط (VpV_p در هر نیم‌سیم‌پیچ) 1 Vp−VγV_p-V_{\gamma} T/2T/2 2Vp−Vγ2V_p-V_{\gamma}
تمام‌موج پل 2 Vp−2VγV_p-2V_{\gamma} T/2T/2 Vp−VγV_p-V_{\gamma}

در پل، جریان بار همواره از دو دیود می‌گذرد (یکی به سمت ریل مثبت و یکی در بازگشت از ریل منفی)، پس دو افت از دست می‌رود؛ با دیودهای ایده‌آل همهٔ درایه‌ها به VpV_p کاهش می‌یابند (و PIV برابر VpV_p برای پل و 2Vp2V_p برای مدار با سر وسط). مدارهای تمام‌موج خازن را در هر دورهٔ ورودی دو بار شارژ می‌کنند، پس فرکانس ریپل برابر 2fin2f_{in} است، نه finf_{in}.

مقادیر متوسط بدون صافی (دیودهای ایده‌آل، ورودی سینوسی با قلهٔ VpV_p):

Vdc,half=Vpπ,Vdc,full=2Vpπ.V_{dc,\text{half}}=\frac{V_p}{\pi},\qquad V_{dc,\text{full}}=\frac{2V_p}{\pi}.

این روابط فقط برای موج سینوسی و فقط بدون خازن صافی برقرارند. برای هر شکل‌موج دیگر مستقیماً انتگرال بگیرید: مقدار متوسط یک موج مثلثی یکسوشده با قلهٔ VpV_p برابر Vp/2V_p/2 (تمام‌موج) یا Vp/4V_p/4 (نیم‌موج) است.

۲.۳ صافی خازنی (یکسوساز قله): ریپل و مقدار متوسط

با قرار دادن خازن CC در دو سر بار RLR_L، دیودها فقط در بازه‌ای کوتاه نزدیک هر قله هدایت می‌کنند و CC را تا Vo,pkV_{o,pk} شارژ می‌کنند. در باقی سیکل دیودها خاموش‌اند و CC از طریق RLR_L تخلیه می‌شود:

vo(t)=Vo,pk e−t/(RLC).v_o(t)=V_{o,pk}\,e^{-t/(R_LC)}.

اگر RLC≫TrR_LC\gg T_r باشد، تابع نمایی تقریباً یک خط راست است و تخلیه تقریباً کل بازهٔ TrT_r را در بر می‌گیرد، که ریپل قله‌تاقله را می‌دهد

Vr,pp≈Vo,pk TrRLC=ILfrC,IL≈Vo,pkRL,fr=1Tr.V_{r,pp}\approx V_{o,pk}\,\frac{T_r}{R_LC}=\frac{I_L}{f_rC},\qquad I_L\approx\frac{V_{o,pk}}{R_L},\quad f_r=\frac{1}{T_r}.

در این صورت خروجی تقریباً یک موج دندان‌اره‌ای بین Vo,pkV_{o,pk} و Vo,pk−Vr,ppV_{o,pk}-V_{r,pp} است، پس مقدار متوسط آن نصف ریپل پایین‌تر از قله قرار می‌گیرد:

Vo,avg≈Vo,pk−Vr,pp2=Vo,pk(1−Tr2RLC).V_{o,avg}\approx V_{o,pk}-\frac{V_{r,pp}}{2}=V_{o,pk}\left(1-\frac{T_r}{2R_LC}\right).

دو پیامد که ارزش به‌خاطرسپردن دارند:

  • در این تقریب، نتیجه فقط به قله و دورهٔ تناوب ورودی بستگی دارد نه به شکل آن، به شرط آنکه موج قله‌ای باریک داشته باشد تا دیودها فقط برای مدتی کوتاه هدایت کنند — یک موج سینوسی و یک موج مثلثی با قله و دورهٔ یکسان، ریپل و مقدار متوسط یکسانی می‌دهند. موج با قلهٔ تخت استثناست: موج مربعی یکسوشدهٔ تمام‌موج از پیش ثابت است، پس خروجی Vo,pkV_{o,pk} و بدون ریپل است، و موج مربعی یکسوشدهٔ نیم‌موج فقط به مدت T/2T/2 تخلیه می‌شود که Vr,pp≈Vo,pk T/(2RLC)V_{r,pp}\approx V_{o,pk}\,T/(2R_LC) را می‌دهد.
  • بازهٔ هدایت Δt\Delta t (زمانی که دیودها CC را دوباره شارژ می‌کنند) به شکل موج بستگی دارد. برای موج سینوسی، Vo,pkcos⁡(ωΔt)=Vo,pk−Vr,ppV_{o,pk}\cos(\omega\Delta t)=V_{o,pk}-V_{r,pp} نتیجه می‌دهد ω Δt≈2Vr,pp/Vo,pk\omega\,\Delta t\approx\sqrt{2V_{r,pp}/V_{o,pk}}؛ برای موج مثلثی که شیب یکسوشدهٔ آن SS (ولت بر ثانیه) است، Δt≈Vr,pp/S\Delta t\approx V_{r,pp}/S. کم‌کردن Δt\Delta t از زمان تخلیه، Vr,ppV_{r,pp} را اندکی به سمت پایین اصلاح می‌کند؛ بنابراین فرمول ساده ریپل را کمی بیش از مقدار واقعی برآورد می‌کند.

اگر RLCR_LC خیلی بزرگ‌تر از TrT_r نباشد، تقریب خطی را کنار بگذارید و مستقیماً از تابع نمایی استفاده کنید.

۲.۴ برش‌دهنده‌ها و مهارکننده‌ها

در یک برش‌دهندهٔ بایاس‌شده، شاخهٔ DD + باتری VBV_B تنها زمانی شروع به هدایت و مهار خروجی می‌کند که

Vnode≥VB+Vγ(for a diode pointing away from the node to a raised reference),V_{node} \ge V_B + V_{\gamma}\quad(\text{for a diode pointing away from the node to a raised reference}),

پس سطح برش VB+VγV_B+V_{\gamma} است نه VBV_B. یک مهارکننده که از یک خازن سری و یک دیود موازی ساخته شده، CC را تا مقداری DC که قله تعیین می‌کند شارژ می‌کند و جابه‌جایی حالت ماندگار زیر را می‌دهد

vout(t)=vin(t)+VDC,VDC=±(Vp−Vγ),v_{out}(t)=v_{in}(t)+V_{DC},\qquad V_{DC}=\pm\left(V_p-V_{\gamma}\right),

در حالی که دامنهٔ قله‌تاقله بدون تغییر می‌ماند.

۳. روش: رویهٔ فرض حالت

چون هر دیود یا روشن است یا خاموش، شبکه‌ای با mm دیود حداکثر 2m2^m ناحیهٔ خطی دارد. آن را با حدس و راستی‌آزمایی حل کنید:

  1. برای هر دیود یک حالت فرض کنید (حدس اولیهٔ خوب: برای ورودی مثبت، دیودهایی که آندشان به سطح بالا رانده می‌شود روشن‌اند). هر دیود روشن را با مدلش (اتصال کوتاه یا باتری VγV_{\gamma}) و هر دیود خاموش را با مدار باز جایگزین کنید. زنر سه حالت نامزد دارد: روشن مستقیم، خاموش و شکست.
  2. مدار خطی حاصل را حل کنید (تحلیل گره/مش، جمع آثار، یا یک مقسم ولتاژ ساده) تا همهٔ جریان‌های شاخه و ولتاژهای دیود به دست آید.
  3. سازگاری را بررسی کنید: هر دیود روشن باید جریان ID>0I_D>0 در جهت مستقیم داشته باشد؛ هر دیود خاموش باید VD<VγV_D<V_{\gamma} داشته باشد (معکوس یا زیر آستانه)؛ زنری که در شکست فرض شده باید جریان معکوس IZ>0I_Z>0 داشته باشد (در عمل IZ≥IZKI_Z\ge I_{ZK}).
  4. اگر هر یک از بررسی‌ها رد شد، حالت فرض‌شدهٔ آن دیود را برعکس کنید و تکرار کنید. ناحیهٔ درست از نظر فیزیکی، یگانه ناحیهٔ خودسازگار است.

برای ورودی کندتغییر / DC این کار را یک بار انجام می‌دهید. برای ورودی AC، مشخصهٔ انتقالی voutv_{out} بر حسب vinv_{in} را با یافتن نقاط شکستی که هر دیود در آن‌ها تغییر حالت می‌دهد به دست می‌آورید و سپس منحنی تکه‌ای‌خطی را رسم می‌کنید.

دستور کار یکسوساز با صافی (یک روال ثابت چهارمرحله‌ای):

  1. قله: Vo,pk=Vp−(number of series diodes)×VγV_{o,pk}=V_p-(\text{number of series diodes})\times V_{\gamma}.
  2. دورهٔ شارژ مجدد: Tr=TT_r=T (نیم‌موج) یا T/2T/2 (تمام‌موج)؛ آن را با τ=RLC\tau=R_LC مقایسه کنید.
  3. ریپل: Vr,pp≈Vo,pk Tr/τV_{r,pp}\approx V_{o,pk}\,T_r/\tau هنگامی که τ≫Tr\tau\gg T_r.
  4. مقدار متوسط: Vo,avg≈Vo,pk−Vr,pp/2V_{o,avg}\approx V_{o,pk}-V_{r,pp}/2.

۴. مثال حل‌شدهٔ کوتاه A (برش‌دهندهٔ موازی بایاس‌شده)

فرض کنید vinv_{in} از طریق یک مقاومت سری RR گره‌ای خروجی را تغذیه می‌کند؛ از آن گره یک دیود DD (آند در گره) سری با باتری VB=3 VV_B=3\text{ V} به زمین وصل است، با Vγ=0.7 VV_{\gamma}=0.7\text{ V} و خروجی باز.

  • DD را خاموش فرض کنید. در شاخهٔ دیود جریانی نمی‌گذرد، پس (خروجی باز) vout=vinv_{out}=v_{in}.
  • نقطهٔ شکست را بیابید. DD هنگامی روشن می‌شود که گره به VB+Vγ=3+0.7=3.7 VV_B+V_{\gamma}=3+0.7=3.7\text{ V} برسد.
  • برای vin>3.7 Vv_{in}>3.7\text{ V}، DD روشن است و گره را روی 3.7 V3.7\text{ V} مهار می‌کند (مقدار اضافی vin−3.7v_{in}-3.7 روی RR افت می‌کند).

مشخصهٔ انتقالی:

vout={vin,vin≤3.7 V3.7 V,vin>3.7 Vv_{out}=\begin{cases} v_{in}, & v_{in}\le 3.7\text{ V}\\[2pt] 3.7\text{ V}, & v_{in}> 3.7\text{ V}\end{cases}

پس یک موج سینوسی ±5 V\pm 5\text{ V} در زیر 3.7 V3.7\text{ V} بدون تغییر عبور می‌کند و در بالای آن روی 3.7 V3.7\text{ V} تخت می‌شود — یک برش‌دهندهٔ مثبت که سطح آن ولتاژ باتری به‌علاوهٔ افت دیود است.

۵. مثال حل‌شدهٔ کوتاه B (یکسوساز پل با صافی خازنی، ورودی غیرسینوسی)

یک موج مثلثی متقارن ±10 V\pm 10\text{ V} با دورهٔ تناوب T=2 msT=2\text{ ms} یک پل دیودی (Vγ=0.7 VV_{\gamma}=0.7\text{ V}) را تغذیه می‌کند که بار آن C=200 μFC=200\ \mu\text{F} موازی با RL=100 ΩR_L=100\ \Omega است. مقدار متوسط خروجی را بیابید.

  1. قله. دو دیود به‌صورت سری هدایت می‌کنند: Vo,pk=10−2(0.7)=8.6 VV_{o,pk}=10-2(0.7)=8.6\text{ V}.
  2. مقیاس‌های زمانی. τ=RLC=100×200×10−6=20 ms\tau=R_LC=100\times 200\times10^{-6}=20\text{ ms}؛ تمام‌موج است، پس Tr=T/2=1 ms≪τT_r=T/2=1\text{ ms}\ll\tau و تقریب خطی معتبر است.
  3. ریپل. Vr,pp≈8.6×120=0.43 VV_{r,pp}\approx 8.6\times\dfrac{1}{20}=0.43\text{ V}.
  4. مقدار متوسط. Vo,avg≈8.6−0.432≈8.39 V≈8.4 VV_{o,avg}\approx 8.6-\dfrac{0.43}{2}\approx 8.39\text{ V}\approx 8.4\text{ V}.

شکل مثلثی هرگز وارد محاسبه نشد — فقط قله و دورهٔ تناوب آن وارد شد. اصلاح دقیق‌تر: موج مثلثی یکسوشده با شیب S=10 V/0.5 ms=20 V/msS=10\text{ V}/0.5\text{ ms}=20\text{ V/ms} بالا می‌رود، پس دیودها حدود Δt≈0.43/20≈0.02 ms\Delta t\approx 0.43/20\approx 0.02\text{ ms} هدایت می‌کنند؛ تخلیه 0.98 ms0.98\text{ ms} طول می‌کشد، ریپل ≈0.42 V\approx 0.42\text{ V} است و مقدار متوسط همچنان ≈8.4 V\approx 8.4\text{ V}.

هر یک از دو لغزش کلاسیک پاسخ را به‌طور محسوسی جابه‌جا می‌کند: استفاده از Tr=TT_r=T (در نظر گرفتن پل به‌عنوان نیم‌موج) Vr,pp=0.86 VV_{r,pp}=0.86\text{ V} و 8.17 V8.17\text{ V} می‌دهد؛ کم‌کردن تنها یک افت دیود، قلهٔ 9.3 V9.3\text{ V} و ≈9.07 V\approx 9.07\text{ V} را می‌دهد.

۶. دیودهای زنر و تنظیم‌کنندهٔ موازی

۶.۱ مدل در ناحیهٔ شکست

زنر در بایاس معکوسِ فراتر از زانو، به‌صورت یک باتری سری با مقاومت دینامیکی (افزایشی) rzr_z مدل می‌شود:

VZ=VZ0+rzIZ,IZ≥IZK,V_Z = V_{Z0} + r_z I_Z,\qquad I_Z\ge I_{ZK},

که در آن IZI_Z جریان معکوس و IZKI_{ZK} جریان زانو است که در کمتر از آن، تنظیم از دست می‌رود. مقدار نامی VZV_Z در یک جریان آزمون IZTI_{ZT} اعلام می‌شود، پس VZ0=VZ−rzIZTV_{Z0}=V_Z-r_zI_{ZT}. با rz=0r_z=0 زنر یک باتری ایده‌آل VZV_Z است. در بایاس مستقیم یک دیود معمولی با افت VγV_{\gamma} است.

۶.۲ تنظیم‌کنندهٔ موازی

مدار استاندارد یک مقاومت سری RR از منبع تنظیم‌نشدهٔ VinV_{in} به گره خروجی است، با زنر (کاتد در گره، آند زمین‌شده) موازی با بار که جریان ILI_L می‌کشد. KCL در گره می‌دهد

IZ=Vin−VoR−IL,Vo=VZ0+rzIZ.I_Z=\frac{V_{in}-V_o}{R}-I_L,\qquad V_o=V_{Z0}+r_zI_Z .

حل مدار خطی (جمع آثار VinV_{in}، VZ0V_{Z0} و جریان بار) می‌دهد

Vo=VZ0 RR+rz+Vin rzR+rz−IL(R∥rz).V_o = V_{Z0}\,\frac{R}{R+r_z}+V_{in}\,\frac{r_z}{R+r_z}-I_L\left(R\parallel r_z\right).

دو معیار شایستگی، مشتق‌های جزئی این عبارت‌اند:

Line regulation=∂Vo∂Vin=rzR+rz,Load regulation=∂Vo∂IL=−(R∥rz).\text{Line regulation}=\frac{\partial V_o}{\partial V_{in}}=\frac{r_z}{R+r_z},\qquad \text{Load regulation}=\frac{\partial V_o}{\partial I_L}=-\left(R\parallel r_z\right).

تنظیم خط بدون بُعد است (آن را بر حسب %\% یا mV/V بیان کنید)؛ تنظیم بار بُعد مقاومت دارد (mV/mA) و برابر منفی مقاومت خروجی تنظیم‌کننده است. اگر بار به جای یک چاه جریان، یک مقاومت ثابت RLR_L باشد، در مقسمِ تنظیم خط rzr_z را با rz∥RLr_z\parallel R_L جایگزین کنید.

میان‌بر سیگنال‌کوچک. برای تغییرات، هر منبع ثابت از بین می‌رود: VZ0V_{Z0} اتصال کوتاه می‌شود، پس زنر فقط مقاومت rzr_z است و مدار همان مقسم RR–rzr_z است. برای به‌دست‌آوردن ∂Vo/∂Vin\partial V_o/\partial V_{in} به هیچ حل DC نیازی نیست.

شرایط طراحی. زنر باید در بدترین حالت (کمترین ولتاژ منبع، بیشترین جریان بار) در شکست بماند و در حالت مقابل (بیشترین ولتاژ منبع، بدون بار) در محدودهٔ توان مجاز خود باشد:

R≤Vin,min⁡−VZIZK+IL,max⁡,PZ,max⁡=VZ Vin,max⁡−VZR(IL=0).R\le\frac{V_{in,\min}-V_Z}{I_{ZK}+I_{L,\max}},\qquad P_{Z,\max}=V_Z\,\frac{V_{in,\max}-V_Z}{R}\quad(I_L=0).

اگر با برداشتن زنر، گره پایین‌تر از VZV_Z بماند (یعنی Vin RL/(R+RL)<VZV_{in}\,R_L/(R+R_L)<V_Z)، زنر خاموش است و مدار فقط یک مقسم مقاومتی است.

۶.۳ مرجع زنر و به دنبال آن یک آپ‌امپ

ورودی آپ‌امپ جریانی نمی‌کشد، پس مرجع زنری که ورودی غیروارونگر را تغذیه می‌کند بدون بار است (IL=0I_L=0). با یک مقاومت فیدبک RfR_f از خروجی به ورودی وارونگر و R1R_1 از ورودی وارونگر به زمین، این طبقه یک تقویت‌کنندهٔ غیروارونگر است:

Vo=(1+RfR1)VZ,∂Vo∂Vin=(1+RfR1)rzR+rz.V_o=\left(1+\frac{R_f}{R_1}\right)V_Z,\qquad \frac{\partial V_o}{\partial V_{in}}=\left(1+\frac{R_f}{R_1}\right)\frac{r_z}{R+r_z}.

بهره، مرجع و هر تغییری از منبع را که به آن نشت می‌کند مقیاس می‌کند، پس تنظیم خط مطلق خروجی برابر بهره ضرب در تنظیم خط گره زنر است، در حالی که تنظیم نسبی 1Vo∂Vo∂Vin\dfrac{1}{V_o}\dfrac{\partial V_o}{\partial V_{in}} بدون تغییر می‌ماند. یک بافر با بهرهٔ واحد (Rf=0R_f=0) تنظیم خط را در rz/(R+rz)r_z/(R+r_z) نگه می‌دارد و فقط مقاومت خروجی دیده‌شده از سوی بار را کاهش می‌دهد.

۶.۴ مثال حل‌شدهٔ کوتاه C

یک منبع 15 V15\text{ V} یک زنر (VZ=6.2 VV_Z=6.2\text{ V}، rz=15 Ωr_z=15\ \Omega) را از طریق R=470 ΩR=470\ \Omega تغذیه می‌کند. گره زنر ورودی غیروارونگر یک آپ‌امپ با Rf=5 kΩR_f=5\text{ k}\Omega و R1=10 kΩR_1=10\text{ k}\Omega را راه‌اندازی می‌کند.

  • بررسی بایاس. IZ≈15−6.2470≈18.7 mA>0I_Z\approx\dfrac{15-6.2}{470}\approx 18.7\text{ mA}>0، پس زنر در شکست است.
  • گره مرجع. ∂V+∂Vin=15470+15≈0.031=3.1 %\dfrac{\partial V_+}{\partial V_{in}}=\dfrac{15}{470+15}\approx 0.031=3.1\,\% (حدود 31 mV31\text{ mV} به ازای هر ولت تغییر منبع).
  • بهره. 1+510=1.51+\dfrac{5}{10}=1.5، پس Vo≈1.5×6.2=9.3 VV_o\approx 1.5\times 6.2=9.3\text{ V}.
  • تنظیم خط خروجی. ∂Vo∂Vin=1.5×0.031≈0.046=4.6 %\dfrac{\partial V_o}{\partial V_{in}}=1.5\times 0.031\approx 0.046=4.6\,\%.

اگر به جای آن، باری مستقیماً به گره زنر وصل می‌شد (بدون آپ‌امپ)، تنظیم بار آن −(470∥15)≈−14.5 Ω-(470\parallel 15)\approx-14.5\ \Omega می‌بود، یعنی خروجی به ازای هر mA جریان بار اضافی حدود 14.5 mV14.5\text{ mV} افت می‌کند.

۷. گونه‌های رایج و حالت‌های خاص

  • برش‌دهندهٔ سری در برابر موازی: دیود سری فقط یک قطبیت را عبور می‌دهد (نیمهٔ دیگر را حذف می‌کند)؛ دیود موازی + مقاومت، خروجی را به یک سطح ثابت محدود می‌کند. افزودن باتری سطح برش را جابه‌جا می‌کند.
  • محدودکنندهٔ دوطرفه: دو شاخهٔ دیودی با بایاس مخالف، خروجی را هم از بالا و هم از پایین محدود می‌کنند (مثلاً مهارهای حفاظت ورودی روی ±(VB+Vγ)\pm(V_B+V_{\gamma})). دو زنر پشت‌به‌پشت همین کار را با سطوح ±(VZ+Vγ)\pm(V_Z+V_{\gamma}) انجام می‌دهند.
  • مهارکنندهٔ مثبت در برابر منفی: دیود موازی به زمین، قلهٔ منفی را روی −Vγ-V_{\gamma} مهار می‌کند (شکل‌موج بالای زمین قرار می‌گیرد)؛ برعکس‌کردن دیود، قلهٔ مثبت را مهار می‌کند. برای مهار روی هر سطح دلخواه یک باتری اضافه کنید.
  • چندبرابرکننده‌های ولتاژ: طبقات متوالی مهارکننده‌ـ‌آشکارساز قله (دوبرابرکننده، سه‌برابرکننده) از یک ورودی AC، ولتاژ DC چند برابر VpV_p می‌سازند.
  • یکسوساز / برش‌دهندهٔ دقیق: قرار دادن دیود درون حلقهٔ فیدبک آپ‌امپ خطای VγV_{\gamma} را حذف می‌کند و آستانهٔ مؤثر 0 V0\text{ V} می‌دهد — برای سیگنال‌های کوچک لازم است.
  • آبشار یکسوساز + زنر: ریپل صافی خازنی Vr,ppV_{r,pp} تغییری در VinV_{in} تنظیم‌کننده است، پس ریپل باقی‌مانده روی خروجی تنظیم‌شده Vr,pp⋅rz/(R+rz)V_{r,pp}\cdot r_z/(R+r_z) است.
  • صافی‌سازی سبک یا سنگین: با RLC→∞R_LC\to\infty خروجی به مقدار ثابت Vo,pkV_{o,pk} میل می‌کند (آشکارساز قله)؛ با C→0C\to 0 به شکل‌موج یکسوشدهٔ بدون صافی بازمی‌گردد و مقادیر متوسط بخش ۲.۲ برقرارند.

نکتهٔ کنکوری: سطح برش/مهار برابر ولتاژ باتری به‌علاوهٔ افت روشن‌شدن (VB+VγV_B+V_{\gamma}) است، هرگز VBV_B به‌تنهایی — و دیود کلیدزن تا وقتی مدار روی یا زیر آن آستانه است هیچ کاری نمی‌کند. وقتی یک مقسم یا منبع، گره را دقیقاً روی VB+VγV_B+V_{\gamma} قرار می‌دهد، دیود درست در لبهٔ روشن‌شدن است و هیچ جریانی ندارد، پس پاسخ همان چیزی است که شبکهٔ غیرفعال (مثلاً یک مقسم RR–RR) تولید می‌کند. همیشه پیش از اعتماد به نتیجه، تأیید کنید که هر دیودی که خاموش فرض شده واقعاً VD<VγV_D<V_{\gamma} دارد.

تلهٔ رایج: سه لغزش عامل بیشتر پاسخ‌های نادرست در مدارهای تغذیه‌اند. (1) پل دو افت دیود هزینه دارد و هر T/2T/2 دوباره شارژ می‌شود؛ یکسوساز نیم‌موج یک افت هزینه دارد و هر TT دوباره شارژ می‌شود. (2) مقادیر متوسط Vp/πV_p/\pi و 2Vp/π2V_p/\pi برای موج سینوسی بدون صافی‌اند — با خازن صافی، مقدار متوسط Vo,pk−Vr,pp/2V_{o,pk}-V_{r,pp}/2 است، برای هر شکل موج با قلهٔ باریک (سینوسی، مثلثی). (3) برای تنظیم‌کننده، دقیقاً بخوانید کدام مشتق خواسته شده است: ∂Vo/∂Vin\partial V_o/\partial V_{in} در خروجی هر بهرهٔ تقویت‌کنندهٔ پس از زنر را هم در بر دارد، در حالی که rz/(R+rz)r_z/(R+r_z) به‌تنهایی تنظیمِ گره زنر است.

فرمول‌های کلیدی

Diode law (Shockley)
ID=IS(e VD/(nVT)−1),VT=kTq≈25 mVI_D = I_S\left(e^{\,V_D/(nV_T)}-1\right),\quad V_T=\frac{kT}{q}\approx 25\text{ mV}

Exact exponential i-v; for analysis replace by the constant-voltage-drop threshold V_D = V_gamma.

Rectifier average (DC) outputs, ideal diodes, unfiltered sine
Vdc,half=Vpπ,Vdc,full=2VpπV_{dc,\text{half}}=\frac{V_p}{\pi},\qquad V_{dc,\text{full}}=\frac{2V_p}{\pi}

Average of a half-wave and full-wave rectified sine of peak V_p, with no filter capacitor.

Peak output with diode drops
Vo,pk=Vp−Vγ (half-wave, center-tapped),Vo,pk=Vp−2Vγ (bridge)V_{o,pk}=V_p-V_{\gamma}\ (\text{half-wave, center-tapped}),\qquad V_{o,pk}=V_p-2V_{\gamma}\ (\text{bridge})

One drop per diode in series with the load; a bridge always conducts through two diodes.

Filter-capacitor ripple
Vr,pp≈Vo,pk TrRLC=ILfrC,Tr=T (half-wave), T2 (full-wave)V_{r,pp}\approx V_{o,pk}\,\frac{T_r}{R_LC}=\frac{I_L}{f_rC},\qquad T_r=T\ (\text{half-wave}),\ \frac{T}{2}\ (\text{full-wave})

Peak-to-peak ripple for R_L C >> T_r; f_r = 1/T_r is f_in for half-wave and 2 f_in for full-wave.

Average output of a capacitor-filtered rectifier
Vo,avg≈Vo,pk−Vr,pp2=Vo,pk(1−Tr2RLC)V_{o,avg}\approx V_{o,pk}-\frac{V_{r,pp}}{2}=V_{o,pk}\left(1-\frac{T_r}{2R_LC}\right)

The sawtooth-like output averages half a ripple below the peak, for any input whose peak is narrow (sine, triangle).

Biased clipper turn-on level
Vnode≥VB+Vγ  ⇒  D conducts and clampsV_{node}\ge V_B+V_{\gamma}\;\Rightarrow\; D\text{ conducts and clamps}

The clip level is the bias battery plus the turn-on drop, not V_B alone.

Clamper DC shift
vout(t)=vin(t)+VDC,VDC=±(Vp−Vγ)v_{out}(t)=v_{in}(t)+V_{DC},\qquad V_{DC}=\pm\left(V_p-V_{\gamma}\right)

A series-C / shunt-D clamper adds a DC offset while preserving the peak-to-peak swing.

Zener breakdown model
VZ=VZ0+rzIZ,IZ≥IZKV_Z=V_{Z0}+r_zI_Z,\qquad I_Z\ge I_{ZK}

In reverse breakdown the Zener is a battery V_Z0 in series with its dynamic resistance r_z.

Zener shunt regulator output
Vo=VZ0 RR+rz+Vin rzR+rz−IL(R∥rz)V_o=V_{Z0}\,\frac{R}{R+r_z}+V_{in}\,\frac{r_z}{R+r_z}-I_L\left(R\parallel r_z\right)

Series resistor R from V_in, Zener across a load drawing I_L.

Line and load regulation of a Zener regulator
∂Vo∂Vin=rzR+rz,∂Vo∂IL=−(R∥rz)\frac{\partial V_o}{\partial V_{in}}=\frac{r_z}{R+r_z},\qquad \frac{\partial V_o}{\partial I_L}=-\left(R\parallel r_z\right)

Small-signal: replace the Zener by r_z; line regulation is the R–r_z divider ratio.

Zener reference with non-inverting amplifier
Vo=(1+RfR1)VZ,∂Vo∂Vin=(1+RfR1)rzR+rzV_o=\left(1+\frac{R_f}{R_1}\right)V_Z,\qquad \frac{\partial V_o}{\partial V_{in}}=\left(1+\frac{R_f}{R_1}\right)\frac{r_z}{R+r_z}

The closed-loop gain multiplies both the reference and its supply-induced variation.

Zener regulator design limits
R≤Vin,min⁡−VZIZK+IL,max⁡,PZ,max⁡=VZ Vin,max⁡−VZRR\le\frac{V_{in,\min}-V_Z}{I_{ZK}+I_{L,\max}},\qquad P_{Z,\max}=V_Z\,\frac{V_{in,\max}-V_Z}{R}

Keep the Zener in breakdown at minimum supply / maximum load; worst-case dissipation at maximum supply with no load.

#diode#rectifier#capacitor-filter#ripple#clipper#clamper#zener-regulator#line-regulation

سوالات تمرینی