هر سوال همراه با یک پاسخ تشریحی کامل و تقویتشده است.
41–54 از 54
در مدار شکل زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شدهاند و منابع جریان ایدئال هستند. مقدار بهره ولتاژ A_v = dfrac V_out V_in برابر با کدام گزینه است؟ توضیح شکل: هر دو ترانزیستور M_1 و M_2 از…
در مدار شکل زیر، بهره ولتاژ (V_o/V_i) به کدام گزینه نزدیکتر است؟ (فرض کنید: lvert V_(BE(ON))rvert = ۰/۶ V ، β = ۸۰ ، V_A = ∞ و V_T = ۲۵ mV .) توضیح شکل: ریلهای تغذیه +۱۰ V و -۱۰ V هستند. طبقهٔ…
در مدار شکل زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شدهاند. مقدار ولتاژ A_v = dfrac V_out V_in به کدام گزینه نزدیکتر است؟ شرح مدار: گیت ترانزیستور M_1 (NMOS) با V_in تحریک میشود، درین آن از طریق…
در تقویتکننده دیفرانسیل داده شده، مقدار تقریبی بهره ولتاژ A_v=(v_o)/(v_i) کدام است؟ (فرض کنید μ_nC_oxW/L=μ_pC_oxW/L=۴ mA/V^۲ ، V_TH =۱ V ، λ=۰٫۰۱ V^(-۱) ) مشخصات مدار: M_1 و M_2 یک زوج تفاضلی PMOS…
در مدار شکل زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه فعال بایاس شدهاند و منابع جریان ایدئال هستند. مقدار فرکانس قطع پایین ۳dB− بهره ولتاژ A_v=frac V_out V_in برحسب کیلورادیان بر ثانیه برابر با کدام گزینه است؟…
در مدار یکسوساز زیر، ولتاژ ورودی بهصورت یک شکل موج مثلثی است. مقدار متوسط ولتاژ خروجی چند ولت است؟ شکل: V_in یک موج مثلثی متقارن بین +6 V و -6 V با دورهٔ تناوب T = 1 ms است (از صفر شروع شده و بالا…
در مدار زیر، مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q_2 پنج برابر مساحت پیوند بیس ـ امیتر ترانزیستور Q_1 بوده و همهٔ ترانزیستورها در ناحیهٔ فعال بایاس شدهاند. بهازای چه مقداری از مقاومت R_B برحسب…
در مدار زیر، همهٔ ترانزیستورها در ناحیهٔ فعال بایاس شدهاند و منبع جریان I_b ایدئال است. مقدار بهرهٔ مقاومت انتقالی A = dfrac V_out i_s آن برحسب اهم تقریباً برابر با کدام گزینه است؟ مدار: منبع جریان…
با فرض یکسان بودن ترانزیستورها، بهرهٔ تقویتکنندهٔ مدار زیر، به کدام گزینه نزدیکتر است؟ (برای کلیهٔ ترانزیستورها داریم: r_o = ∞ ، β = ۱۰۰ ، g_m = ۲۰ mS ) شرح مدار: منبع ایدهآل V_s (سر دیگر آن زمین)…
در مدار زیر، مقاومت ورودی R_in ، به کدام گزینه نزدیکتر است؟ ( V_A=∞ ) مدار: ترانزیستورهای Q_2 و Q_1 (npn) یک زوج دارلینگتون میسازند. ورودی V_in به بیس Q_2 اعمال میشود و R_in مقاومت دیدهشده از…
در مدار تقویتکنندهٔ تفاضلی زیر، همهٔ ترانزیستورهای متناظر با هم یکسان بوده و در ناحیهٔ اشباع بایاس شدهاند. مقدار بهرهٔ ولتاژ تفاضلی A_d=dfrac V_out V_(in+)-V_(in-) آن برابر با کدام گزینه است؟ مدار…
با فرض یکسان بودن ترانزیستورها، در مدار زیر ولتاژ خروجی تقریباً چند ولت است؟ (فرض کنید: β = 100 ، V_A = ∞ ) مدار: منابع تغذیه +10 V و -10 V . ترانزیستورهای npn Q_1 و Q_2 یک زوج تفاضلی با امیترهای…
در مدار زیر، ورودی V_in بهصورت یک شکل موج سینوسی با دامنه ۸ ولت است. حداکثر مقدار ولتاژ خروجی V_out چند ولت است؟ مدار: کلکتور ترانزیستور npn Q_1 به V_CC = 12 V و بیس آن به V_in وصل است. امیتر از…
در مدار زیر مقدار تنظیم خط (dfrac ∂ V_o ∂ V_in ) برحسب درصد به کدام گزینه نزدیکتر است؟ مدار: ورودی V_in از طریق یک مقاومت سری 1 kΩ به کاتد یک دیود زنر (آند زمینشده) با V_Z = 5.6 V و r_z = 10 Ω وصل…