سوالات

در مدار زیر، ولتاژ روشن شدن دیودها برابر با ۰٫۷ V است. منبع DC ورودی V_in از طریق یک مقاومت سری R به یک گره می‌رسد؛ از این گره دیود D_1 (آند در بالا) به‌صورت سری با یک باتری ۴٫۳ V به زمین وصل است…

در مدار زیر، آپ‌امپ ایده‌آل فرض می‌شود. مقاومت ورودی R_i برحسب کیلواهم چه مقداری است؟ مدار: منبع V_i به گرهی وصل است که به دو مسیر تقسیم می‌شود. مسیر ۱: یک مقاومت 2 kΩ از V_i به ورودی وارونگر (-) ، و…

در مدار زیر، ولتاژ اولیه ذخیره‌شده در خازن C_L برابر با ۲ ولت بوده و در لحظه t=۰ ولتاژ V_G از صفر به ۲ ولت تغییر می‌کند. ترانزیستور NMOS به نام M_1 گیتش با V_G رانده می‌شود؛ ترمینال چپ (سورس/درین) آن…

در مدار نشان‌داده‌شده، دو ترانزیستور PMOS یعنی M_۴ و M_۳ از V_DD (سورس مشترک آن‌ها) به گره میانی X وصل شده‌اند و دو ترانزیستور NMOS یعنی M_۱ و M_۲ گره میانی X را به زمین (سورس مشترک) متصل می‌کنند.…

در مدار زیر، M_1 در اشباع قرار دارد و در نقطه کار g_m = ۲ mA/v است و r_o بی‌نهایت فرض می‌شود. (در مدار: +V_DD به درین M_1 متصل است، منبع سیگنال V_S از طریق منبع بایاس V_b به گیت اعمال می‌شود، و سورس…

در مدار زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه فعال بایاس شده‌اند. مقدار بهره ولتاژ A_V= dfrac V_out V_in برابر با کدام مورد است؟ مدار از منبع V_DD تغذیه می‌شود. ترانزیستور ورودی M_1 (NMOS) گیت آن با V_in…

در مدار تقویت‌کننده تفاضلی زیر، همه ترانزیستورهای متناظر با هم یکسان بوده و در ناحیه اشباع، بایاس شده‌اند. مقدار بهره ولتاژ تفاضلی A_d = dfrac V_out V_(in+) - V_(in-) ، برابر با کدام مورد است؟ مشخصات…

در مدار زیر، ترانزیستور M_1 در ناحیه فعال بایاس‌شده و منبع جریان I_b ایده‌آل است. مقدار فرکانس قطع پایین -۳dB بهره ولتاژ آن (برحسب کیلو رادیان بر ثانیه) تقریباً چقدر است؟ مدار: ورودی V_in از طریق…

در تقویت‌کننده با فیدبک منفی زیر، β = V_f/V_o = ۰/۱ است. بهره ولتاژ تقویت‌کننده بدون فیدبک ولی با در نظر گرفتن اثر بارگذاری شبکه فیدبک A = ۹۰ است. مدار یک تقویت‌کننده ولتاژ دومرحله‌ای با فیدبک…

۵۶- با فرض کارکرد تمامی ترانزیستورها در ناحیه خطی (فعال)، β = ∞ و V_(BE-on) = ۰/۷ V ، مقدار مقاومت R_۳ (برحسب کیلواُهم) چقدر باشد تا توان متوسط اتلاف‌شده در مقاومت R_۷ ، برابر ۱۵۰ میکرووات باشد؟…

در مدار زیر، آپ‌امپ‌ها ایده‌آل فرض می‌شوند. نسبت V_o1/V_i کدام است؟ توصیف مدار: سه آپ‌امپ ایده‌آل A_1 ، A_2 و A_3 به‌صورت آبشاری بسته شده‌اند و یک مسیر فیدبک سراسری از خروجی آخر به طبقهٔ اول…

فرض کنید V_in یک سیگنال مثلثی متناوب با فرکانس ۱۰۰Hz، همانند شکل زیر باشد. توان متوسط مصرفی توسط مقاومت R ، چند میلی‌وات است؟ (فرض کنید V_(D-on) دیودها برابر ۰/۷V باشد.) شکل موج: یک موج مثلثی متقارن…

۵۹- با فرض بایاس شدن کلیه ترانزیستورها در ناحیه فعال، ایده‌آل بودن منبع جریان و با صرف‌نظر از r_0 تمامی ترانزیستورها، بهره dfrac V_out V_in به کدام مورد نزدیک‌تر است؟ (فرض کنید β = ۱۰۰ و V_T = KT/q =…

۶۰- با فرض بایاس شدن ترانزیستور در ناحیه خطی (فعال)، α = 0/99 ، V_A = ∞ و g_m = 10/R ، مقاومت ورودی R_in به کدام مورد نزدیک‌تر است؟ شکل مدار: کلکتور ترانزیستور npn مستقیماً به V_DD وصل است و امیتر آن…

در مدار زیر، فرکانس قطع پایین، به کدام مورد (برحسب rad/s ) نزدیک‌تر است؟ (فرض کنید g_m تمامی ترانزیستورها، برابر ۱۰ mS و r_0=∞ باشد.) توضیح شکل (مدار کاسکود دو طبقه): منبع سیگنال V_Sig با مقاومت سری…

با فرض بایاس شدن تمامی ترانزیستورها در ناحیه اشباع (فعال)، ایده‌آل بودن منبع جریان، V_ov = ۰/۲۵ V و λ = ۰/۱ V^(-۱) برای تمامی ترانزیستورها، بهره dfrac V_out V_in به کدام مورد نزدیک‌تر است؟ شرح مدار…

در مدار شکل زیر، با فرض بزرگ بودن کافی همه خازن‌ها، محدوده تغییرات ولتاژ خروجی ( V_out ) از طرف بالا و پایین کدام است؟ ( V_(BE-on) = ۰/۷v ، β = ۱۰۰ ، V_CE(sat) = ۰/۲v ) شکل: یک طبقه امیتر مشترک با…

در مدار زیر، مقدار بهره ولتاژ ((V_o)/(V_s)) به کدام مورد نزدیک‌تر است؟ (کلیه ترانزیستورها مشابه هستند.) V_A = ۱۰۰ v, V_T = ۲۵ mv, β = ۱۰۰ شرح مدار (تغذیه +۵ ولت و -۵ ولت): یک منبع جریان ۱ mA از…

در مدار شکل زیر، در لحظه t=0 ، ولتاژ دو سر خازن صفر ولت است. ولتاژ روشن‌شدن دیود زنر Z_1 صفر بوده و ولتاژ شکست آن ۲/۳ ولت است. (مدار: خازن C_1 به‌صورت سری از ورودی V_in به گره خروجی V_out ؛ از گره…

در مدار زیر، آپ‌امپ ایده‌آل فرض می‌شود. مقاومت ورودی R_i ، چند کیلواُهم است؟ مدار: گره منبع V_in مستقیماً به گره A متصل است. از گره A ، مقاومت R_1 = ۱۰ kΩ به ورودی معکوس‌کننده ( - ) آپ‌امپ می‌رود و…

در مدار شکل زیر همه ترانزیستورها در ناحیه فعال بایاس شده‌اند. یک منبع جریان مرجع I_R = ۰٫۵ mA از V_DD به درین ترانزیستور M_۱ (که به‌صورت دیودی بسته شده و سورس آن زمین است) می‌ریزد؛ گیت M_۱ به درین…

در تقویت‌کننده شکل زیر، ترانزیستور npn به نام Q_1 در ناحیه خطی (فعال) بایاس شده است. منبع سیگنال V_S از طریق یک مقاومت سری R و یک خازن کوپلاژ بی‌نهایت (اتصال کوتاه در فرکانس سیگنال) گره بیس V_1 را…

در مدار شکل زیر همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شده و منابع جریان ایده‌آل هستند. مقدار بهره ولتاژ A_v= dfrac V_out V_in آن، کدام است؟ شکل: از خط تغذیه V_DD دو منبع جریان ایده‌آل I_b۲ و I_b۱ رو…

در تقویت‌کننده دیفرانسیل داده‌شده، با فرض تقارن کامل Q_1 و Q_2 ، مقدار ولتاژ آفست ورودی چند میلی‌ولت است؟ مدار: یک زوج دیفرانسیل ترانزیستوری با تغذیه +۵ V و -۵ V . کلکتور هر ترانزیستور از طریق یک…

در مدار شکل زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه فعال بایاس شده‌اند و منبع جریان I_b ایده‌آل است. مقدار بهره ولتاژ A_d = dfrac V_(out+) - V_(out-) V_(in+) - V_(in-) آن، کدام است؟ شکل: یک زوج تفاضلی MOSFET…

در مدار شکل زیر، ترانزیستور Q_۱ در ناحیه فعال بایاس شده و منبع جریان I_b ایده‌آل است. مقدار فرکانس قطع -۳ dB پایین بهره ولتاژ چند کیلورادیان بر ثانیه است؟ شکل مدار: کلکتور ترانزیستور Q_۱ از طریق R_C…

در مدار شکل زیر، همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شده‌اند و منبع جریان I_b ایده‌آل است. مقدار بهره ولتاژ A_v= dfrac V_out V_in آن، تقریباً کدام است؟ شرح مدار: ریل بالایی V_DD است. منبع جریان…

در مدار زیر، در لحظه t = 0 ، ولتاژ دو سر خازن صفر ولت است. ولتاژ روشن شدن دیود زنر Z_1 صفر بوده و ولتاژ شکست آن ۳/۳ ولت است. حداقل مقدار ولتاژ خروجی V_out در حالت دائمی چند ولت است؟ مدار: منبع V_in…

۵۷- در مدار زیر همهٔ ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شده‌اند. مقدار جریان خروجی I_out چند میلی‌آمپر است؟ توصیف مدار. منبع جریان I_b = ۱ mA از V_DD به گره X جریان تزریق می‌کند. ترانزیستور NMOS با…

در مدار زیر، مقدار مقاومت R_۱ چند کیلواهم باشد تا به‌ازای V_in=۰ ولتاژ خروجی صفر شود؟ شکل مدار: مقاومت R_۱ از منبع ۴/۷ V به گرهٔ A وصل شده است. گرهٔ A هم به سر بالایی (سورس) ترانزیستور MOS کانال p به…

در تقویت‌کننده زیر، می‌دانیم که در دمای اتاق ( ۲۵^circC )، بهره ولتاژ تقویت‌کننده (A_v = (V_o)/(V_s)) برابر با ۱۰۰ است. بهره ولتاژ تقویت‌کننده در دمای ۱۲۵^circC تقریباً چقدر خواهد بود؟ (فرض کنید frac…

در مدار زیر، اندازه بهره انتقالی (V_o)/I چند کیلواهم است؟ (فرض کنید g_m1=g_m2=۱ mS ) مدار: ریل بالا V_DD و ریل پایین زمین است. M_1 یک ترانزیستور NMOS است که گیت آن به زمین وصل شده؛ درین آن (گره A )…

در مدار زیر، همهٔ ترازیستورها در ناحیه فعال بایاس شده‌اند و منبع جریان I_b ایدئال است. مقدار بهره ولتاژ A_v= dfrac V_out V_in کدام است؟ مدار: M_1 یک طبقهٔ سورس‌مشترک NMOS است که سورس آن زمین شده، گیت…

در مدار تقویت‌کننده زیر، مقدار بهره ولتاژ A_v= (V_o)/(V_i) ، کدام است؟ مدار. ولتاژ V_i از طریق خازن کوپلاژ C_1 به بیس ترانزیستور NPN یعنی Q_1 اعمال می‌شود؛ امیتر Q_1 زمین شده و کلکتور آن با مقاومت ۳…

در مدار تقویت‌کننده تفاضلی زیر، همه ترانزیستورهای متناظر با هم یکسان بوده و در ناحیه اشباع بایاس شده‌اند. مقدار بهره ولتاژ تفاضلی A_d=dfrac V_out V_(in^+)-V_(in^-) کدام است؟ مدار. منبع جریان ایدئال…

در مدار زیر همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع شده‌اند و منابع جریان ایدئال هستند. جریان منبع I_b۲ چند میلی‌آمپر باشد تا مقدار بهره ولتاژ A_v= dfrac V_out V_in برابر با ۱۰ شود؟ مدار: V_in از طریق مقاومت…

در مدار زیر، یک منبع ۲۳ ولت DC (پایانه + به ریل بالا) چهار دیود سری D_1, D_2, D_3, D_4 (از چپ به راست) را تغذیه می‌کند و مسیر از ریل پایین به منبع بازمی‌گردد. جهت هر چهار دیود از راست به چپ است؛ یعنی…

در مدار داده‌شده، به‌ازای چه مقدار نسبت (R_۲)/(R_۱) ، ضریب حرارتی ولتاژ V_CE صفر می‌شود؟ ( frac Δ V_CE Δ T =۰ ) (فرض کنید ترانزیستور در ناحیه فعال و دیود هم در ناحیه شکست زنری قرار دارد.) مدار: یک…

در منبع جریان شکل زیر، مقاومت R چند اهم باشد تا تغییرات ولتاژ تغذیه حول V_CC = ۲/۲ V ، تغییری در جریان خروجی ایجاد نکند؟ (فرض کنید β = ∞ و V_T = ۲۵ mV و V_(BE(ON)) ≃ ۰/۷ V ) مدار: منبع V_CC از طریق…

در مدار شکل زیر، مقدار بهره ولتاژ A_V=lvertdfrac v_out v_in rvert در حالت C_E=∞ برابر با ۴ است. مقدار اندازه بهره آن در حالت C_E=0 چقدر است؟ مدار یک طبقه تقویت‌کننده امیتر مشترک با ترانزیستور npn…